We consider the task of parametric optimization of the properties for nitride
semiconductor light emitting chip. The solution is given in the framework of the selfconsistent
electrical/thermal/optical approach. Dependences of radiation power, chip wall
plug efficiency (WPE) and current spreading are presented for varying geometry of chip
electrodes. The optimization procedure predicts more than 8 % increase in WPE. Original
software based on finite volume and ray tracing analysis was used in simulation.
Keywords: LED chip; light output optimization; 3D modeling |
full paper (pdf, 1392 Kb)
Рассматривается задача параметрической оптимизации свойств
нитридного светоизлучающего чипа в рамках самосогласованного электро-тепло-
светового подхода. Представляются рассчитанные зависимости мощности излучения,
КПД чипа, картины растекания тока при контролируемых изменениях в геометрии
электродов. Решение задачи оптимизации предсказывает более 8 % прирост КПД
устройства. Моделирование выполнено с использованием оригинального
программного обеспечения, основанного на методе конечных объемов и методе
трассировки лучей.
Ключевые слова: светодиодный чип; оптимизация вывода света; 3D моделирование |
full paper (pdf, 1392 Kb)