Mater.Phys.Mech.(MPM)
No 1, Vol. 29, 2016, pages 24-31

OPTICAL PROPERTIES OF THICK GaN LAYERS GROWN WITH HYDRIDE
VAPOR-PHASE EPITAXY ON STRUCTURED SUBSTRATES

M.G. Mynbaeva, A.I. Pechnikov, A.N. Smirnov, D.A. Kirilenko,
S.Ch. Raufov, A.A. Sitnikova, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov, K.D. Mynbaev,
V.I. Nikolaev, A.E. Romanov

Abstract

A possibility is shown to use substrates with column structure for the growth of thick GaN epitaxial layers with reduced levels of thermoelastic stress and structural defects. A detailed characterization of ~600 µm-thick GaN layers was performed using transmission electron microscopy and optical methods, namely, Raman spectroscopy and photoluminescence. The obtained results showed that the grown material had excellent quality with high uniformity of parameters across the surface of the layers.

Keywords: thick GaN epitaxial layers; hydride vapor-phase epitaxy; thermoelastic stress; structural defects.

full paper (pdf, 1440 Kb)

ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОЛСТЫХ СЛОЕВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ,
ВЫРАЩЕННЫХ ХЛОРИД-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИЕЙ НА
СТРУКТУРИРОВАННЫХ ПОДЛОЖКАХ

М.Г. Мынбаева, А.И. Печников, А.Н. Смирнов, Д.А. Кириленко,
С.Ч. Рауфов, А.А. Ситникова, М.А. Одноблюдов, В.Е. Бугров, К.Д. Мынбаев,
В.И. Николаев, А.Е. Романов

Аннотация

Показана возможность использования подложек с колонной структурой для выращивания толстых слоев нитрида галлия со сниженным уровнем термоупругих напряжений и структурных дефектов. Выполнена углубленная характеризация слоев GaN, имевших толщину ~600 микрометров, с применением просвечивающей электронной микроскопии и оптических методов: спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Полученные результаты показали, что выращенный эпитаксиальный материал имел хорошее качество с высокой однородностью свойств по площади образцов.

Ключевые слова: нитрид галлия; толстые слои; хлорид-гидридная эпитаксия; термоупругие напряжения; структурные дефекты.

full paper (pdf, 1440 Kb)