photo

Осипова Елена Владимировна

Контактная информация:

Телефон: + 7 (812) 321-47-76

Факс: + 7 (812) 321-47-71

E-mail: Elena.Vl.Osipova at gmail.com

199178, Россия, Санкт-Петербург, В.О., Большой пр., 61, ИПМаш РАН

Домашняя страница: RU EN

Должность в ИПМаш РАН:

Старший научный сотрудник Лаборатории математического моделирования волновых процессов

Ученая степень:

к.ф.-м.н.

Дата рождения:

25.10.1967

Профессиональная деятельность:

1984–1990 гг. — учеба в Ленинградском Политехническом Институте

1990 по наст. вр. — работа в ИПМаш РАН (стажер-исследователь, м.н.с, н.с, с.н.с.)

Области научных интересов:

  • Волновая динамика, проблемы локализации волн на включении

  • Нелинейные волновые процессы в упругих и упруго-акустических средах

  • Водородное охрупчивание

  • Оптоакустические волны в проводниках и полупроводниках

Профили в базах научного цитирования и публикаций:

Scopus

РИНЦ

Список основных публикаций:

  • Индейцев Д.А., Осипова Е.В. Нелинейные эффекты в ловушечных модах колебаний стоячих волн на поверхности мелкой воды. Журнал технической физики, 2000, Т. 70, Вып. 12. С. 1–5.

  • Индейцев Д.А., Осипова Е.В. Локализация нелинейных волн в упругих телах с включениями. Акустический журнал 2004. Т. 50. № 2. С. 1–8.

  • Индейцев Д.А., Осипова Е.В. Водородное охрупчивание под действием нагрузки как фазовый переход первого рода. Физика твердого тела 2009. T. 51, вып. 9. С. 1790–1795.

  • Кукушкин С.А., Осипов А.В., Осипова Е.В., Разумов С.В., Кандаков А.В. Оптические константы эпитаксиальных пленок оксида цинка, выращенных на кремнии с буферным нанослоем карбида кремния. Оптический журнал. 2011. Т. 78. № 7. С. 29–33.

  • Индейцев Д.А., Осипова Е.В. Статистическая модель образования гидридной фазы в наводороженных металлах под действием нагрузки. Доклады Академии наук. 2011. Т. 440. № 4. С. 472–475.

  • A.V. Osipov, S.A. Kukushkin, N.A. Feoktistov, E.V. Osipova, N. Venugopal, G.D. Verma, Bipin Kumar Gupta, Anirban Mitra. Structural and optical properties of high quality ZnO thin film on Si with SiC buffer layer. Thin Solid Films. 2012, V. 520. P. 6836–6840.

  • Индейцев Д.А., Осипова Е.В. Кинетика образования зародышей хрупкой фазы в наводороженных металлах под действием нагрузки. Доклады Академии наук. 2013. Т. 449. № 36. С. 286–289.

  • Индейцев Д.А., Осипова Е.В., Полянский В.А. Статистическая модель разрушения металлов, стимулированного водородом. Доклады Академии Наук. 2014. Т. 459. № 3. С. 294–297.

  • Кукушкин С.А., Николаев В.И., Осипов А.В., Осипова Е.В., Печников А.И., Феоктистов Н.А. Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si. Физика твердого тела. 2016. Т. 58. Вып. 9. С. 1812–1817.

  • Индейцев Д.А., Осипова Е.В. Двухтемпературная модель оптического возбуждения звука в проводниках. Доклады Академии Наук. 2017. Т. 473. № 2. С. 1–5.