Mater.Phys.Mech.(MPM)
No 1, Vol. 22, 2015, pages 30-38

LIGHT-EMITTING р-n STRUCTURES
FABRICATED WITH HYDRIDE VAPOR-PHASE EPITAXY ON GaN/Al2O3
STRUCTURED SUBSTRATES

M.G. Mynbaeva, A.I. Pechnikov, Sh.Sh. Sharofidinov, V.E. Bougrov, K.D. Mynbaev,
S.I. Stepanov, M.A. Odnoblyudov, V.I. Nikolaev, A.E. Romanov

Abstract

A possibility is shown to use GaN/Al2O3 substrates with internal voids fabricated with metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) for the growth of light-emitting structures based on p-n junctions by hydride vapor-phase epitaxy (HVPE). Within the frames of the work, an extensive characterization of the grown HVPE films with n- and p-type conductivity and formed p-n junctions was performed. The results obtained show possibilities that HVPE method offers in respect to the fabrication of the elements of device structures based on GaN.

Keywords: light-emitting р-n structures; hydride vapor-phase epitaxy; GaN/Al2O3 substrates with internal voids

full paper (pdf, 1664 Kb)

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ р-n СТРУКТУРЫ,
ВЫРАЩЕННЫЕ ХЛОРИД-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИЕЙ НА
СТРУКТУРИРОВАННЫХ ПОДЛОЖКАХ GaN/Al2O3

М.Г. Мынбаева, А.И. Печников, Ш.Ш. Шарофидинов, В.Е. Бугров, К.Д. Мынбаев,
С.И. Степанов, М.А. Одноблюдов, В.И. Николаев, А.Е. Романов

Аннотация

Показана возможность использования подложек GaN/Al2O3 с внутренними полостями, сформированных газофазной эпитаксией с использованием металлорганических соединений (ГФЭ МОС), для выращивания методом хлорид. гидридной эпитаксии (ХГЭ) светоизлучающих структур на основе р-n переходов. В рамках работы выполнена всесторонняя характеризация выращенных эпитаксиальных слоев ХГЭ n- и p-типа проводимости и сформировавшихся электронно-дырочных переходов. Полученные результаты демонстрируют возможности метода ХГЭ в части создания элементов приборных структур на основе GaN.

Ключевые слова: светоизлучающие р-n структуры; хлорид-гидридная эпитаксия; подложки GaN/Al2O3 с внутренними полостями

full paper (pdf, 1664 Kb)