|
The article presents the results of calculations of the structure and energy
parameters of BiN : Bi8 , Bi18 , Bi50 ,
Bi98 , Bi162 bismuth nanoclusters using quantum
chemical methods. An extrapolation estimate of the number of atoms in a cluster with a zero
band gap is made. The band gap width of bismuth nanoclusters passivated by
BiN Hm
hydrogen is calculated. The results of quantum chemical modeling of
B(N-n)Sbn
bismuthantimony clusters are presented.
Keywords: cluster, bismuth, a transition semiconductor-semimetal, bismuth-antimony, quantum-chemical simulation, band gap width |
full paper (pdf, 1360 Kb)
|
В статье приводятся результаты расчетов квантово-химическими
методами структуры и энергетических параметров нанокластеров висмута
BiN : Bi8 , Bi18 , Bi50 ,
Bi98 , Bi162
Сделана экстраполяционная оценка количества атомов в
кластере с нулевой запрещенной зоной. Рассчитана ширина запрещенной зоны
нанокластеров висмута, пассивированных водородом BiN Hm.
Представлены
результаты квантово-химического моделирования кластеров висмут-сурьма
B(N-n)Sbn.
Ключевые слова: кластер, висмут, переход полупроводник-полуметалл, висмутсурьма, квантово-химические моделирование, ширина запрещенной зоны |
full paper (pdf, 1360 Kb)