|
Precipitation of gold by vacuum evaporation creates heterogeneity in the surface layer of GaAs, which differ in structure and composition in a direction parallel to the surface of gallium arsenide layers in the perpendicular direction. Reactions of physico-chemical interaction in the plane parallel to the GaAs surface are recorded by measuring the velocity of surface acoustic waves by virtue of the location of the velocity vectors in the wave. As it turned out, particularly informative study changes over time derivative of the velocity as a quantity proportional to viscosity. The oscillation spectrum shows the derivative of the velocity characteristics of phase transformations at the metal-semiconductor transition, including such reactions as microbreakdown, liquid phase formation and loss of islets
GaAs.
Keywords: gallium arsenide; metal-semiconductor boundary; SAW diagnostics; deformation of the near-surface layer; SAW velocity change |
full paper (pdf, 2224 Kb)
|
Осаждение золота путем испарения в вакууме создает неоднородности в приповерхностном слое GaAs, отличающиеся по структуре и составу в направлении параллельном поверхности арсенида галлия от слоев в перпендикулярном направлении. Реакции физико-химического взаимодействия в плоскости параллельной поверхности GaAs фиксируются с помощью измерения скорости поверхностной акустической волны в силу расположения векторов скорости в волне. Как оказалось, особенно информативно исследование изменения производной скорости по времени как величины, пропорциональной вязкости. Спектр колебаний производной скорости показывает особенности фазовых превращений на границе металл-полупроводник, включая такие реакции как микропробои, образование жидкой фазы и выпадение островков GaAs.
Ключевые слова: арсенид галлия; граница металл-полупроводник; ПАВ-диагностика; деформация приповерхностного слоя; изменение скорости ПАВ |
full paper (pdf, 2224 Kb)