|
Investigated changes in the power loss of surface acoustic waves in the surface layers of high-resistance gallium arsenide during the deposition of gold. It is found that such characteristics of the propagation of surface acoustic waves, the amplitude and determined by fluctuations in the value of her loss on the distribution, by reason of their position vectors, reflect changes in the structure and composition of the layers in the border Au-GaAs as the deposition of gold in the plane perpendicular to the surface of GaAs. The spectral characteristics of the scattered power mainly reflects the aggregate state of the surface layers and the ability to rotate the crystallized islands in agreement with the distribution lines of tension (strain or electric field) in the surface layer. Change the value of the energy loss surface acoustic wave is characterized not only by the number dropped islands, but also related to the type of deformation of the surface layer
.
Keywords: gallium arsenide; metal-semiconductor boundary; SAW diagnostics; deformation of the near-surface layer ; SAW absorption |
full paper (pdf, 1728 Kb)
|
Проведены исследования изменения потерь мощности поверхностных
акустических волн в приповерхностных слоях высокоомного арсенида галлия в
процессе осаждения золота. Обнаружено, что такие характеристики распространения
поверхностных акустических волн, как амплитуда и, определяемые из нее колебания
величины потерь на распространение, в силу особенностей расположения их векторов,
отражают изменения структуры и состава в приграничных слоях Au-GaAs по мере
осаждения золота в плоскости, перпендикулярной к поверхности GaAs. Спектральная
характеристика рассеянной мощности отражает главным образом агрегатное состояние
приповерхностных слоев и возможность поворота кристаллизованных островков в
согласии с распределением линий напряженности (деформации или электрического
поля) в приповерхностном слое. Изменение величины потерь энергии поверхностных
акустических волн характеризуется не только числом выпавших островков, но и
связано с типом деформации приповерхностного слоя.
Ключевые слова: арсенид галлия; граница металл-полупроводник; ПАВ-диагностика; деформация приповерхностного слоя; поглощение ПАВ |
full paper (pdf, 1728 Kb)