Mater.Phys.Mech.(MPM)
No 2, Vol. 24, 2015, pages 194-200

COMPARISON OF CHARACTERISTICS OF SCHOTTKY DIODES BASED ON
β-Ga2O3 AND OTHER WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS

M.A. Rozhkov, E.S. Kolodeznyi, A.M. Smirnov, V.E. Bougrov, A.E. Romanov

Abstract

Electrical characteristics of Schottky diode (SD) Au/β-Ga2O3 were analyzed both theoretically and with the use of finite element method. It was shown that Schottky barrier height for Au/β -Ga2O3 is 1.23 eV and threshold voltage is ∼ 0.6 V with current ∼ 1 µА. Comparative analysis of the properties of SD Au/β-Ga2O3 and devices based on various wide bandgap semiconductors including 4H-SiC, GaN and AlGaN has been performed. We demonstrated that SD Au/β-Ga2O3 had smaller reverse current than Au/GaN and Ni/4H-SiC. Calculated breakdown voltage for SD Au/β-Ga2O3 was 2513 V.

Keywords: Schottky diode; wide bandgap semiconductors; reverse current; breakdown voltage.

full paper (pdf, 1328 Kb)

СРАВНЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ β-Ga2O3
И ДРУГИХ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

М.А. Рожков, Е.С. Колодезный, А.М. Смирнов, В.Е. Бугров, А.Е. Романов

Аннотация

Проведен теоретический анализ и компьютерное моделирование электрических характеристик диода Шоттки (ДШ) Au/β-Ga2O3. Показано, что высота барьера Шоттки Au/β-Ga2O3 составляет 1.23 эВ и напряжение открытия ∼ 0.6 В при токе ∼ 1 мкА. Проведено сравнение характеристик ДШ на основе β-Ga2O3 и других конкурирующих широкозонных полупроводников: 4H-SiC, AlGaN, GaN. Показано, что ДШ Au/β-Ga2O3 имеет меньший обратный ток по сравнению с Au/GaN и Ni/SiC, а рассчитанное напряжение пробоя у ДШ Au/β-Ga2O3 составляет 2513 В.

Ключевые слова: диод Шоттки; широкозонные полупроводниковые материалы; обратный ток; напряжение пробоя.

full paper (pdf, 1328 Kb)