ipmash@ipme.ru | +7-812-321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
ИПМаш РАН ИПМаш РАН

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Основные результаты:

  • Предложен теоретически и реализован экспериментально принципиально новый метод осаждения карбида кремния на кремнии, который заключается в создании в структуре матрицы подложки, путем замещения основных атомов Si на дилатационные диполи. Создание дилатационных диполей привело к замене атомов матрицы кремния на атомы углерода с образованием молекул карбида кремния без возникновения упругих напряжений!
  • На основе данного метода разработана абсолютно новая инновационная технология поучения гетероструктур на основе широкозонных полупроводников для микро и-оптоэлектроники на кремниевых подложках.
  • Впервые в мировой практике на кремниевой подложке с буферным слоем нанокарбида кремния получена светодиодная структура. Впервые, во всяком случае, в России получен работающий макет светодиода на кремнии!
  • Созданы научно—технологические основы для создания промышленного производства светодиодных гетероструктур на кремнии с наномасштабным буферным слоем карбида кремния. Решена одна из основных проблем современной микроэлектроники – разработаны фундаментальные и прикладные основы синтеза гетероструктур широкозонных полупроводников нитридов V группы на кремнии, на основе которых можно создавать широкий спектр приборов: от светодиодов, транзисторов и лазеров, до различного рода датчиков и других приборов микро-оптоэлектроники.
  • Теоретически предсказан и экспериментально обнаружен новый тип связанных фазовых переходов первого рода при формировании многокомпонентных твердых фаз в твердых телах.

Образцы пленок карбида кремния на подложках Si диаметром 2, 3, 4 и 6 дюймов (150 мм)

Светодиоды на основе гетероструктур GaN/AlGaN/AlN, выращенных на кремниевой подложке с буферным слоем карбида кремния

Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.