ipmash@ipme.ru | +7-812-321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт проблем машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт проблем машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

HVPE growth of corundum-structured α-Ga2O3 on sapphire substrates with α-Cr2O3 buffer layer

Авторы:
S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, A.V.Almaev, A.I.Pechnikov, M.P. Scheglov, A.V. Chikiryaka, B.O. Kushnarev, A.Y. Polyakov
Страницы:
577-581
ДОИ (doi):
Аннотация:

Gallium oxide films were grown by HVPE on (0001) sapphire substrates with and without  buffer produced by RF magnetron sputtering. Deposition on bare sapphire substrates resulted in a mixture of  and  phases with a dislocation density of about  The insertion of  buffer layers resulted in phase-pure  films and a fourfold reduction of the dislocation density to 

Файл (pdf):
19:39
5
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.