ipmash@ipme.ru | +7-812-321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Институт
  3. Лаборатории
  4. Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах

Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах

Направления исследований лаборатории Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах
Разработка и внедрение метода роста плёнок карбида кремния на кремнии путём замещения атомовИсследование воздействия внешних полей на фазовые переходыТеория нуклеацииПодробнее
Научные публикации
Научная деятельность института
MATERIALS OF THE INTERNATIONAL CONFERENCE “MECHANISMS AND NON-LINEAR PROBLEMS OF NUCLEATION AND GROWTH OF CRYSTALS AND THIN FILMS”, DEDICATED TO THE MEMORY OF THE OUTSTANDING THEORETICAL PHYSICIST PROFESSOR V.V. SLEZOV
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Vacancy Growth of a Faceted Pore in a Crystal via Chernov Mechanism
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Modification of glass surface by a high electric field
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Elastic Properties of GaN and AlN Films Formed on SiC/Si Hybrid Substrate, a Porous Basis
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Optical Properties of GaN/SiC/por-Si/Si(111) Hybrid Heterostructures
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Development of Burton-Cabrera-Frank Theory for the Growth of a Non-Kossel Crystal via Chemical Reaction
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Control of soda-lime glass surface crystallization with thermal poling
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Ascending Si diffusion into growing GaN nanowires from the SiC/Si substrate: Up to the solubility limit and beyond
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Influence of a Nanoporous Silicon Layer on the Practical Implementation and Specific Features of the Epitaxial Growth of GaN Layers on SiC/por-Si/c-Si Templates
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Epitaxial Growth of Bulk Semipolar AlN Films on Si(001) and Hybrid SiC/Si(001) Substrates
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Гранты
Научная деятельность института
Широкозонные полупроводниковые материалы для силовой электроники, формируемые на кремнии с буферным слоем нано-SiC.
ГРАНТЫ РФФИ
выполненные
Исследование свойств эпитаксиальных наноразмерных фаз SiC, образующихся на Si методом согласованного замещения атомов, и изучение влияния этих свойств на механизмы роста и морфологию полупроводниковых пленок групп A3B5 и A2B6.
ГРАНТЫ РНФ
действующие
Эпитаксия пленок карбида кремния на кремнии методом замещения атомов для роста широкозонных полупроводников
ГРАНТЫ РНФ
выполненные
Теоретическое исследование и численное моделирование механизмов роста некосселевских кристаллов и тонких плёнок.
ГРАНТЫ ПРЕЗИДЕНТСКОЙ ПРОГРАММЫ
действующие
Развитие теоретических методов для описания роста и эволюции некосселевских кристаллов и тонких плёнок
ГРАНТЫ ПРЕЗИДЕНТСКОЙ ПРОГРАММЫ
действующие
Уникальная научная установка "Физика, химия и механика кристаллов и тонких плёнок"
Лаборатория фазовых превращений обладает комплексом уникального научного оборудования (УНУ). В состав УНУ входит ультрафиолетовый эллипсометр J.A.Подробнее
Сотрудники
Редьков А.В.
Редьков А.В.
Должность:
Ведущий научный сотрудник
Ученая степень:
Кандидат физико-математических наук
Воробьев М.Г.
Воробьев М.Г.
Должность:
Стажер-исследователь , Аспирант
Контакты
  • Адрес 199178,г.Санкт-Петербург,Большой проспект В.О.,д.61
  • Телефон +7-812-3214778
  • Факс +7-812-3214771
  • Email ipmash@ipme.ru
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.