ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Macroscopic quantum effects of electromagnetic induction in silicon nanostructures

Авторы:
L.E. Klyachkin , N.T. Bagraev , A.M. Malyarenko ,
Страницы:
252-265
ДОИ (doi):
Аннотация:

At room temperature, a macroscopic quantum galvanomagnetic effect of Faraday electromagnetic induction was demonstrated under conditions of the capture of single magnetic flux quanta in the edge channels, confined by chains of negative-U centers, in a silicon nanostructure heavily doped with boron, prepared in Hall geometry on an n-type Si (100) substrate. It is shown that this effect leads to the appearance of an induction current when only a constant magnetic field is applied in the absence of an externally applied voltage or a stabilized current. The experimental dependences of  on the magnitude of the external magnetic field in its various directions demonstrate both the Hall staircase of conductivity and the Shubnikov–de Haas oscillations.

Файл (pdf):
15:38
707
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.