ipmash@ipme.ru | +7-812-321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт проблем машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт проблем машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Выполненные в ИПМаш РАН исследования в списке важнейших результатов РАН

В информационный сборник «ВАЖНЕЙШИЕ НАУЧНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ, ПОЛУЧЕННЫЕ В 2019–2020 ГОДАХ В ХОДЕ ВЫПОЛНЕНИЯ ПРОГРАММЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫХ АКАДЕМИЙ НАУК НА 2013–2020 ГОДЫ, ГОТОВЫЕ К ПРАКТИЧЕСКОМУ ПРИМЕНЕНИЮ» в разделе «ЭНЕРГЕТИКА, МАШИНОСТРОЕНИЕ, МЕХАНИКА И ПРОЦЕССЫ УПРАВЛЕНИЯ» из восьми представленных результатов. Вошли результаты работы сотрудников ИПМаш РАН лаборатории «Структурных и фазовых превращений в конденсированных средах», а именно — Нано-SiC на кремнии – новый материал для микро, нано- и оптоэлектроники.

В рамках направления фундаментальных исследований ПФНИ ГАН 2013–2020 в ИПМаш РАН разработан метод твёрдофазной эпитаксии низкодефектных плёнок широкозонных полупроводников, полупроводников на кремниевых подложках для микро- и оптоэлектроники. Была разработана, экспериментально апробирована и защищена патентами (17 патентов) принципиально новая, дешёвая технология получения нового материала нанокарбида кремния на кремнии. Технология основана на замещении части атомов в кремнии на атомы углерода без разрушения кремниевой основы. Впервые в мировой практике реализован метод последовательной замены атомов одного сорта другими прямо внутри исходного кристалла без разрушения его кристаллической структуры, который напоминает «генетический синтез» белковых структур в биологии. При этом за счет расчёта, учитывающего механические свойства разнородных материалов, качество структуры слоёв, полученных данным методом, значительно превосходит качество плёнок карбида кремния, выращенных на кремниевых подложках ведущими мировыми компаниями. Технология не имеет мировых аналогов по простоте и дешевизне.
Проведённые исследования не только формируют новое научное направление, но и являются основой создания высокотехнологичного производства монокристаллических слоёв карбида кремния на кремниевых подложках.
За последние годы работа прошла стадию НИОКР. Создано опытное производство и выпускаются пластины со слоями SiC/Si, AlN/SiC/Si, GaN/AlN/SiC/ Si и AlGaN/SiC/Si. Подложки Si с буферным слоем SiC широко используются рядом университетов и академических институтов (СПб государственный университет, СПб академический университет, ФТИ им. А.Ф. Иоффе). Уже синтезированы светодиоды и начаты работы по созданию пироэлектрических датчиков, датчиков ночного видения, стабильно работающих в широком диапазоне температур и акустических мембран на слоях AlN/SiC/Si. (ИПМаш РАН)

13:00
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.