ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Structural and electrical quality of silicon bicrystals fabricated by a modified direct bonding technique

Год(ы):
1999
Авторы:
Argunova T.S. , д.ф.м.н. Гуткин М.Ю. , Kostina L.S. , Kudriavtseva T.V. , Kim E.D. , Kim S.C. ,
Название издания:
Solid State Phenomena
Том издания:
69
Страницы издания:
491 - 496
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.