Group-III-nitride-based light-emitting diode on silicon substrate with epitaxial nanolayer of silicon carbide
Год(ы):
2012
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Zhukov S.G. , Zavarin E.E. , Lundin W.V. , Sinitsyn M.A. , Rozhavskaya M.M. , Tsatsulnikov A.F. , Troshkov S.I. , Feoktistov N.A. ,
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
38
Выпуск издания:
3
Страницы издания:
297 - 299
ДОИ (doi):