ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Aluminum and gallium nitrides on a silicon substrate with an intermediate silicon carbide nanolayer for ultraviolet devices

Год(ы):
2011
Авторы:
Bessolov V.N. , Zhilyaev Yu.V. , Konenkova E.V. , Sorokin L.M. , Feoktistov N.A. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , Shcheglov M.P. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Mets L.I. , д.ф.м.н. Осипов А.В. ,
Название издания:
Journal of Optical Technology (A Translation of Opticheskii Zhurnal)
Том издания:
78
Выпуск издания:
7
Страницы издания:
435 - 439
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.