Structural characterization of GaN epilayers on silicon: Effect of buffer layers
Год(ы):
2011
Авторы:
Sorokin L.M. , Kalmykov A.E. , Bessolov V.N. , Feoktistov N.A. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Veselov N.V. ,
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
37
Выпуск издания:
4
Страницы издания:
326 - 329
ДОИ (doi):