Structural characterization of GaN/AIN layers on 3C-SiC/Si(111) by TEM
Год(ы):
2011
Авторы:
Sorokin L.M. , Kalmykov A.E. , Myasoedov A.V. , Veselov N.V. , Bessolov V.N. , Feoktistov N.A. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. ,
Название издания:
Journal of Physics: Conference Series
Том издания:
326
Выпуск издания:
1 / 012015