Aluminum nitride on silicon: Role of silicon carbide interlayer and chloride vapor-phase epitaxy technology
Год(ы):
2010
Авторы:
Bessolov V.N. , Zhilyaev Y.V. , Konenkova E.V. , Sorokin L.M. , Feoktistov N.A. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , Shcheglov M.P. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Mets L.I. , д.ф.м.н. Осипов А.В. ,
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
36
Выпуск издания:
6
Страницы издания:
496 - 499
ДОИ (doi):