ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Micropipe absorption mechanism of pore growth at foreign polytype boundaries in SiC crystals

Год(ы):
2009
Авторы:
д.ф.м.н. Гуткин М.Ю. , д.ф.м.н. Шейнерман А.Г. , Smirnov M.A. , Argunova T.S. , Je J.H. , Nagalyuk S.S. , Mokhov E.N. ,
Название издания:
Journal of Applied Physics
Том издания:
106
Выпуск издания:
12 / 123515
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.