Formation of dislocation defects in the process of burying of InAs quantum dots into GaAs
Год(ы):
2009
Авторы:
Bert N.A. , д.ф.м.н. Колесникова А.Л. , Nevedomsky V.N. , Preobrazhenskii V.V. , Putyato M.A. , Romanov A.E. , Seleznev V.M. , Semyagin B.R. , Chaldyshev V.V. ,
Название издания:
Semiconductors
Том издания:
43
Выпуск издания:
10
Страницы издания:
1387 - 1393
ДОИ (doi):