Chloride vapor-phase epitaxy of gallium nitride on silicon: Effect of a silicon carbide interlayer
Год(ы):
2008
Авторы:
Aksyanov I.G. , Bessolov V.N. , Zhilyaev Yu.V. , Kompan M.E. , Konenkova E.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Rodin S.N. , Feoktistov N.A. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , Shcheglov M.P. ,
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
34
Выпуск издания:
6
Страницы издания:
479 - 482
ДОИ (doi):