ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

White X-ray beam topography and radiography of Si 1-xGe x crystals bonded to silicon

Год(ы):
2007
Авторы:
Argunova T.S. , Yi J.M. , Jung J.W. , Je J.H. , Sorokin L.M. , д.ф.м.н. Гуткин М.Ю. , Belyakova E.I. , Kostina L.S. , Zabrodskii A.G. , Abrosimov N.V. ,
Название издания:
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
Том издания:
204
Выпуск издания:
8
Страницы издания:
2669 - 2674
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.