Photoemission studies of the vicinal SiC(100) 4° surface and the Cs/SiC(100) 4° interface
Год(ы):
2016
Авторы:
Benemanskaya G.V. , Dementev P.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Lapushkin M.N. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Timoshnev S.N. ,
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
42
Выпуск издания:
12
Страницы издания:
1145 - 1148
ДОИ (doi):