ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Growth and optical properties of filamentary GaN nanocrystals grown on a hybrid SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy

Год(ы):
2016
Авторы:
Reznik R.R. , Kotlyar K.P. , Il’kiv I.V. , Soshnikov I.P. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Nikitina E.V. , Cirlin G.E. ,
Название издания:
Physics of the Solid State
Том издания:
58
Выпуск издания:
10
Страницы издания:
1952 - 1955
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.