The C 1s core level spectroscopy of carbon atoms at the surface SiC/Si(111)-4° layer and Cs/SiC/Si(111)-4° interface
Год(ы):
2016
Авторы:
Benemanskaya G.V. , Dementev P.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Lapushkin M.N. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Senkovskiy B.V. ,
Название издания:
Semiconductors
Том издания:
50
Выпуск издания:
10
Страницы издания:
1327 - 1332
ДОИ (doi):