ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Научная деятельность
  3. Separation of stress-free AlN/SiC thin films from Si substrate

Separation of stress-free AlN/SiC thin films from Si substrate

Год(ы):
2016
Авторы:
к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Mukhin I.S. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. ,
Название издания:
Journal of Physics: Conference Series
Том издания:
741
Выпуск издания:
1 / 012034
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1088/1742-6596/741/1/012034
Веб адрес:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84989311642&doi=10.1088%2f1742-6596%2f741%2f1%2f012034&partnerID=40&md5=1d54c9ad1282ff951a9873953853cf00
Контакты
  • Адрес 199178,Санкт-Петербург,Большой пр. ВО,дом 61
  • Телефон +7 (812) 321-47-78
  • Факс +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.