ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

The use of SiC/Si(111) hybrid substrate for MBE growth of GaN nanowires

Год(ы):
2016
Авторы:
Reznik R.R. , Kotlyar K.P. , Ilkiv I.V. , Soshnikov I.P. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Nikitina E.V. , Cirlin G.E. ,
Название издания:
Journal of Physics: Conference Series
Том издания:
741
Выпуск издания:
1 / 012027
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.