ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

AlGaAs and AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates

Год(ы):
2017
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , ​G.E. Cirlin, R.R. Reznik, I.V. Shtrom, A.I. Khrebtov. I.P. Soshnikov, L. Leandro, T. Kasama, N. Akopian
Квартиль:
Q1
Название издания:
J. Phys. D: Appl. Phys.
Выпуск издания:
50(48)
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.