Epitaxial growth of zinc oxide by the method of atomic layer deposition on SiC/Si substrates
Год(ы):
2016
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Romanychev A.I. ,
Название издания:
Physics of the Solid State
Том издания:
58
Выпуск издания:
7
Страницы издания:
1448 - 1452
ДОИ (doi):