Metal organic vapor phase epitaxy growth of (Al)GaN heterostructures on SiC/Si(111) templates synthesized by topochemical method of atoms substitution
Год(ы):
2017
Авторы:
Телятник Р.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , M.M. Rozhavskaya, A.V. Myasoedov, S.I. Troshkov, L.M. Sorokin, P.N.Brunkov, A.V. Baklanov, R.R. Juluri, K.B. Pedersen, V.N. Popok
Квартиль:
Q1
Название издания:
Phys. Status Solidi A
Выпуск издания:
214(10)
ДОИ (doi):