ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

MBE growth and optical properties of GaN nanowires on SiC/Si(111) hybrid substrate

Год(ы):
2016
Авторы:
Reznik R. , Kotlyar K. , Ilkiv I. , Soshnikov I. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Nikitina E. , Cirlin G. ,
Название издания:
AIP Conference Proceedings
Том издания:
1748
Выпуск издания:
/ 040003
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.