ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Pendeo-epitaxy of stress-free AlN layer on a profiled SiC/Si substrate

Год(ы):
2016
Авторы:
Bessolov V.N. , Karpov D.V. , Konenkova E.V. , Lipovskii A.A. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , Soshnikov I.P. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. ,
Название издания:
Thin Solid Films
Том издания:
606
Страницы издания:
74 - 79
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.