ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Prevention of AlN crystal from cracking on SiC substrates by evaporation of the substrates

Год(ы):
2015
Авторы:
Argunova T.S. , д.ф.м.н. Гуткин М.Ю. , Mokhov E.N. , Kazarova O.P. , Lim J.-H. , Shcheglov M.P. ,
Название издания:
Physics of the Solid State
Том издания:
57
Выпуск издания:
12
Страницы издания:
2473 - 2478
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.