ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Infrared spectroscopy of silicon carbide layers synthesized by the substitution of atoms on the surface of single-crystal silicon

Год(ы):
2015
Авторы:
Grudinkin S.A. , Golubev V.G. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Feoktistov N.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. ,
Название издания:
Physics of the Solid State
Том издания:
57
Выпуск издания:
12
Страницы издания:
2543 - 2549
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.