ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

TEM investigation of semipolar GaN layers grown on Si(001) offcut substrates

Год(ы):
2015
Авторы:
Sorokin L.M. , Myasoedov A.V. , Kalmykov A.E. , Kirilenko D.A. , Bessolov V.N. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. ,
Название издания:
Semiconductor Science and Technology
Том издания:
30
Выпуск издания:
11 / 114002
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.