Effect of the nand p-type Si(100) substrates with a SiC buffer layer on the growth mechanism and structure of epitaxial layers of semipolar AlN and GaN
Год(ы):
2015
Авторы:
Bessolov V.N. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Konenkova E.V. , Myasoedov A.V. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , Rodin S.N. , Rubets V.P. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. ,
Название издания:
Physics of the Solid State
Том издания:
57
Выпуск издания:
10
Страницы издания:
1966 - 1971
ДОИ (doi):