Growth and structure of GaN layers on silicon carbide synthesized on a Si substrate by the substitution of atoms: A model of the formation of V-defects during the growth of GaN
Год(ы):
2015
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Rozhavskaya M.M. , Myasoedov A.V. , Troshkov S.I. , Lundin V.V. , Sorokin L.M. , Tsatsul’nikov A.F. ,
Название издания:
Physics of the Solid State
Том издания:
57
Выпуск издания:
9
Страницы издания:
1899 - 1907
ДОИ (doi):