ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Научная деятельность
  3. The equilibrium state in the Si-O-C ternary system during SiC growth by chemical substitution of atoms

The equilibrium state in the Si-O-C ternary system during SiC growth by chemical substitution of atoms

Год(ы):
2015
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. ,
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
41
Выпуск издания:
3
Страницы издания:
259 - 262
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1134/S1063785015030244
Веб адрес:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84928256673&doi=10.1134%2fS1063785015030244&partnerID=40&md5=62f7879dacc71c3ddedf6199c96dd55c
Контакты
  • Адрес 199178,Санкт-Петербург,Большой пр. ВО,дом 61
  • Телефон +7 (812) 321-47-78
  • Факс +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.