Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitution in Si crystal lattice
Год(ы):
2015
Авторы:
Benemanskaya G.V. , Dementev P.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Lapushkin M.N. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Senkovskiy B. , Timoshnev S.N. ,
Название издания:
Materials Physics and Mechanics
Том издания:
22
Выпуск издания:
2
Страницы издания:
183 - 190