Исследование свойств эпитаксиальных наноразмерных фаз SiC, образующихся на Si методом согласованного замещения атомов, и изучение влияния этих свойств на механизмы роста и морфологию полупроводниковых пленок групп A3B5 и A2B6.
Руководитель:
Исполнители:
д.ф.м.н. Осипов А.В. , Баграев Н.Т.
Номер гранта:
№20-12-00193
Год(ы):
2020-н.в.
Веб адрес: