Synthesis of epitaxial silicon carbide films through the substitution of atoms in the silicon crystal lattice: A review
Год(ы):
2014
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Feoktistov N.A. ,
Название издания:
Physics of the Solid State
Том издания:
56
Выпуск издания:
8
Страницы издания:
1507 - 1535
ДОИ (doi):