ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Научная деятельность
  3. Theory and practice of SiC growth on Si and its applications to wide-gap semiconductor films

Theory and practice of SiC growth on Si and its applications to wide-gap semiconductor films

Год(ы):
2014
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. ,
Название издания:
Journal of Physics D: Applied Physics
Том издания:
47
Выпуск издания:
31 / 313001
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1088/0022-3727/47/31/313001
Веб адрес:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84904430756&doi=10.1088%2f0022-3727%2f47%2f31%2f313001&partnerID=40&md5=0c7a0ea34bddc014d1f46e451a67d50f
Контакты
  • Адрес 199178,Санкт-Петербург,Большой пр. ВО,дом 61
  • Телефон +7 (812) 321-47-78
  • Факс +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.