Epitaxy of semipolar GaN on a Si(001) substrate with a SiC buffer layer
Год(ы):
2014
Авторы:
Bessolov V.N. , Konenkova E.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Myasoedov A.V. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Rodin S.N. , Shcheglov M.P. , Feoktistov N.A. ,
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
40
Выпуск издания:
5
Страницы издания:
386 - 388
ДОИ (doi):