The mechanism of formation of structural V-defects in polar and semipolar epitaxial GaN films synthesized on SiC/Si(111) and SiC/Si(100) heterostructures
Год(ы):
2014
Авторы:
Bessolov V.N. , Konenkova E.V. , Zubkova A.V. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Orlova T.A. , Rodin S.N. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. ,
Название издания:
Materials Physics and Mechanics
Том издания:
21
Выпуск издания:
3
Страницы издания:
266 - 274