ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Научная деятельность
  3. Nanoindentation and deformation properties of nanoscale silicon carbide films on silicon substrate

Nanoindentation and deformation properties of nanoscale silicon carbide films on silicon substrate

Год(ы):
2014
Авторы:
к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. ,
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
40
Выпуск издания:
12
Страницы издания:
1114 - 1116
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1134/S1063785014120268
Веб адрес:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84920559918&doi=10.1134%2fS1063785014120268&partnerID=40&md5=20f618d5b21bc45f159f7e9b76641515
Контакты
  • Адрес 199178,Санкт-Петербург,Большой пр. ВО,дом 61
  • Телефон +7 (812) 321-47-78
  • Факс +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.