ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Научная деятельность
  3. A new method of replacement atoms for the synthesis of epitaxial layers of SiC on Si: From theory to practice

A new method of replacement atoms for the synthesis of epitaxial layers of SiC on Si: From theory to practice

Год(ы):
2014
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. ,
Название издания:
Journal of Physics: Conference Series
Том издания:
541
Выпуск издания:
1 / 012003
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1088/1742-6596/541/1/012003
Веб адрес:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84908425980&doi=10.1088%2f1742-6596%2f541%2f1%2f012003&partnerID=40&md5=00343701d91dad00af0e203445a4fcb6
Контакты
  • Адрес 199178,Санкт-Петербург,Большой пр. ВО,дом 61
  • Телефон +7 (812) 321-47-78
  • Факс +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.