Semipolar GaN on SI(001): The role of SiC buffer layer synthesized by method of substrate atom substitution
Год(ы):
2014
Авторы:
Bessolov V.N. , Konenkova E.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Myasoedov A.V. , Rodin S.N. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Shcheglov M.P. ,
Название издания:
Materials Physics and Mechanics
Том издания:
21
Выпуск издания:
1
Страницы издания:
71 - 77