ipmash@ipme.ru | +7-812-321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Properties of SiC films obtained by the method of substitution of atoms on porous silicon

Год(ы):
2018
Авторы:
​V.V. Kidalov , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , A.S. Grashchenko , I.P. Soshnikov , M.E. Boiko , M.D. Sharkov , A.F. Dyadenchuk ,
Квартиль:
Q1
Название издания:
ECS journal of solid state science and technology
Выпуск издания:
7
Страницы издания:
158-160
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.