Properties of SiC films obtained by the method of substitution of atoms on porous silicon
Год(ы):
2018
Авторы:
V.V. Kidalov , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , A.S. Grashchenko , I.P. Soshnikov , M.E. Boiko , M.D. Sharkov , A.F. Dyadenchuk ,
Квартиль:
Q1
Название издания:
ECS journal of solid state science and technology
Выпуск издания:
7
Страницы издания:
158-160
ДОИ (doi):
Веб адрес: