ipmash@ipme.ru | +7-812-321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Plasma assisted molecular beam epitaxy of thin GaN films on Si(111) and SiC/Si(111) substrates: Effect of SiC and polarity issues

Год(ы):
2018
Квартиль:
Q1
Название издания:
Thin solid films
Выпуск издания:
646
Страницы издания:
158-162
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.