Plasma assisted molecular beam epitaxy of thin GaN films on Si(111) and SiC/Si(111) substrates: Effect of SiC and polarity issues
Год(ы):
2018
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , A.M. Mizerov , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , S.N. Timoshnev ,
Квартиль:
Q1
Название издания:
Thin solid films
Выпуск издания:
646
Страницы издания:
158-162
ДОИ (doi):